目前，國內(nèi)碳化硅單晶的直徑已經(jīng)普遍能達到6英寸，但其厚度通常在~20-30mm之間，導(dǎo)致一個碳化硅晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片的數(shù)量相當有限。
那么如何才能增加厚度？難點又在哪里？科研人員表示，增加碳化硅單晶厚度的主要挑戰(zhàn)在于其生長時厚度的增加及源粉的消耗對生長室內(nèi)部熱場的改變。針對挑戰(zhàn)，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室和浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室通過設(shè)計碳化硅單晶生長設(shè)備的新型熱場、發(fā)展碳化硅源粉的新技術(shù)、開發(fā)碳化硅單晶生長的新工藝，顯著提升了碳化硅單晶的生長速率，成功生長出了厚度達到50 mm的6英寸碳化硅單晶。
該厚度的實現(xiàn)，一方面節(jié)約了昂貴的碳化硅籽晶的用量，另一方面使一個碳化硅單晶錠切片所獲得的碳化硅襯底片數(shù)量能夠翻倍，所以能夠大幅降低碳化硅襯底的成本，有望有力推動半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
近日，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室和浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室在浙江省“尖兵計劃”等研發(fā)項目的資助下，成功生長出了厚度達到50mm的6英寸碳化硅單晶，這在國內(nèi)尚屬首次報道。
